蝕刻機(jī)和光刻機(jī)有什么區(qū)別，原理有什么不一樣呢
發(fā)表時(shí)間：2020-06-18 15:12:04
刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別：光刻機(jī)把圖案印上去，然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分?？涛g相對(duì)光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機(jī)的作用相當(dāng)于木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機(jī)的作用相當(dāng)于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機(jī)和光刻機(jī)性質(zhì)一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細(xì)活，一般精確到毫米就行。做芯片用的刻蝕機(jī)和光刻機(jī)，要精確到納米?，F(xiàn)在的手機(jī)芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺(tái)積電的10納米技術(shù)。10納米有多小呢？打個(gè)比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發(fā)絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米。現(xiàn)在世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭的ASML公司，最小到10納米。臺(tái)積電買的都是它的光刻機(jī)。ASML公司實(shí)際上是美國(guó)、荷蘭、德國(guó)等多個(gè)國(guó)家技術(shù)合作的結(jié)果。因?yàn)檫@方面的研究難度太大，單個(gè)國(guó)家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在高端光刻機(jī)上努力研發(fā)。
我相信，不久的將來(lái)，我們的科技人員一定能研制出好的的光刻機(jī)，不再被卡脖子。核心技術(shù)、關(guān)鍵技術(shù)、國(guó)之重器必須立足于自己?？萍嫉墓リP(guān)要摒棄幻想，靠我們自己。
我們刻蝕機(jī)技術(shù)已經(jīng)突破，5納米的刻蝕機(jī)我們也能自主生產(chǎn)，現(xiàn)在卡脖子的是光刻機(jī)。在芯片加工過程中，光刻機(jī)放樣，刻蝕機(jī)施工，清洗機(jī)清洗。然后反復(fù)循環(huán)幾十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶體管的集成電路才能完成。放樣達(dá)不到精度，刻蝕機(jī)就失去用武之地了。
刻蝕機(jī)是什么
實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展；廣義上來(lái)講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。
刻蝕機(jī)的原理
感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，簡(jiǎn)稱ICPE）是化學(xué)過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，然后從真空管路被抽走。上一篇： 蝕刻機(jī)特點(diǎn)、金屬蝕刻機(jī)特點(diǎn)以及應(yīng)用 下一篇：蝕刻機(jī)工藝的具體過程是什么
